美高科技接连陷落 中国闪存芯片工厂将开建(2)
导读：美媒25日报道，中国正斥资240亿美元打造一个世界级的半导体产业，将与一家美国公司合作生产广泛用于电子设备的记忆芯片。武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC)发言人表示，武汉新芯下周一将在湖北省武汉市动工兴建中国自己的首家闪存芯片工厂。这家芯片代工企业为中国政府所有。武汉新芯去年与美国闪存生产商SpansionInc.(CODE)结成合作伙伴，共同研发下一代芯片技术。Spansion后来在一桩50亿美元的全股票合并交易中被柏士半导体(CypressSemiconductorCorp.,CY)收
总部位于台湾的集邦科技(TrendForce)旗下的存储行业研究机构DRAMeXchange研究主管杨文得(Sean Yang)表示，这是一个标志性的突破，是中国公司真正走上自主生产半导体之路的里程碑。
据政府网站介绍，武汉新芯2006年由湖北省政府和武汉市政府设立，作为一个重大战略投资项目的载体，资金投入额超过15亿美元，湖北省科技投资集团(Hubei Province Technology Investment Corp.)是其唯一所有人。该公司主要生产各种类型的NOR闪存，许多高管此前都在中国主要的芯片代工生产商中芯国际(Semiconductor Manufacturing International Corp. )任职。虽然武汉新芯的最新项目得到了中央政府的支持，但许多分析人士对该公司的前景仍表示怀疑。这家芯片生产商的知名度较低，而且此前中国在打造具有竞争力的半导体行业方面所取得的成功有限。
武汉新芯的起步较韩国三星电子(Samsung Electronics Co. ,005930.SE)落后很多年，同时，由于投资成本高昂，加上规模经济的需要，存储芯片行业对于陪跑者来说是一种颇具惩罚性的业务。十多年来，台湾已向DRAM芯片生产投入数百亿美元，但未获成功，结果是许多公司被竞争对手收购。
Bernstein Research分析师纽曼(Mark Newman)称，他对武汉新芯的转型并不看好。他说，该公司在存储芯片方面的技术十分有限，较同行业的其他企业落后了数年。
三星集团是韩国最大的跨国企业集团
一些海外公司已同意在中国建立先进的存储芯片厂，尽管这些投资或许并不能满足中国政府希望开发自有技术的愿望。去年4月份，三星电子位于中国西安的存储芯片工厂投入生产，英特尔公司(Intel Co. ,INTC)则于去年10月份表示，将为现有的大连工厂引入新的芯片制造机器。
中国对存储芯片的兴趣随着去年紫光集团加大投资力度而变得明朗化。这家拥有政府背景的公司意图收购美国存储芯片制造商美光科技公司(Micron Technology Inc., MU)，并投资西部数据股份有限公司(Western Digital Corporation, WDC)，当时西部数据正寻求收购闪存芯片制造商闪迪(SanDisk Co., SNDK)。这些交易最后均未达成，原因之一是担心美国政府反对。
武汉新芯打算生产名为“3D NAND”的下一代闪存芯片，预计这种芯片将成为未来数年计算机设备的主流数据存储工具。据首席执行长杨士宁(Simon Yang)描述，智能手机及其他产品目前使用的是所谓的“二维NAND”，相比之下，二维NAND就像是停车场，而3D NAND则是一个立体的停车场。
闪存芯片在手机，电脑行业需求巨大
三星电子是多层次存储技术的探路先锋（这一技术可以提高芯片的存储效率），其他企业跟在后面亦步亦趋，也包括美国的英特尔和美光科技。Bernstein Research的纽曼称，三星电子是目前唯一实现量产3D NAND的制造商，不过，今年这种芯片的生产成本已经降到比常规NAND芯片更低，因此将会很快普及。
对这项技术的掌握程度也是参差不齐：三星电子的技术可达64层，而据分析师说，武汉新芯只有8层。
当被问及层数时，武汉新芯发言人不予披露。武汉新芯网站显示，首席营运长洪沨在去年11月份的演讲中指出，只要公司现在着手做，就很可能追赶上并有机会跻身世界一流企业行列。（Eva Dou 发自北京 / Don Clark 发自旧金山）